一种碳化硅MOSFET的并联均流结构
专利名称: 一种碳化硅MOSFET的并联均流结构
专利类别: 发明
申请号:
申请日期: 2019.1.16
专利号: 201910038511.5
第一发明人: 庞云亭 郭心铭 韦统振 霍群海
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
Baidu
map